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[发明专利]一种超深沟槽的填充方法-CN202310797796.7在审
发明人：李琳;谈娟;陈天;张祥;李宗旭;王黎;梁金娥;赵正元;张守龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种超深沟槽的填充方法，包括提供衬底，在衬底中形成超深沟槽，该超深沟槽包括垂直沟槽和位于垂直沟槽上方的浅沟槽；采用热氧化工艺对超深沟槽进行氧化处理；采用HARP SACVD工艺对超深沟槽进行薄膜淀积填充，在超深沟槽中形成高度不超过浅沟槽的空气间隙；采用HDP工艺淀积填充超深沟槽直至填充完成；将超深沟槽进行平坦化处理。本发明利用HARPSACVD工艺与HDP工艺结合的方法进行超深沟槽的填充，在保证侧壁厚度的同时在超深沟槽中形成高度较低于浅沟槽的空气间隙，提高了器件隔离电压，实现了对超深沟槽的良好填充及电压隔离。
一种深沟填充方法

[发明专利]深沟槽产品的深沟槽底端定位的物理分析方法-CN201310192500.5有效
发明人：赖华平;王飞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种深沟槽产品的深沟槽底端定位的物理分析方法，包括步骤：在定义深沟槽图形的掩膜板上定义出分析沟槽图形。同时刻蚀形成深沟槽和分析沟槽。在分析沟槽中填充介质层。在深沟槽填充满硅外延层，并形成深沟槽产品。制备分析样品；对分析样品进行研磨并找到深沟槽的底部，研磨过程中利用分析沟槽中填充的介质层能够和硅直接视觉区别的特性来对深沟槽的深度进行定位。对定位好的深沟槽的底部进行物理分析。本发明能够在分析样品制备过程中实现对深沟槽低端的准确定位，从而能解决深沟槽产品的结构分析、失效分析是的样品制备的难题，并能带来产品的质量提升和工艺改善。
深沟产品底端定位物理分析方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN00104064.2无效
发明人：拉马·迪瓦卡鲁尼;乌里克·格略宁;金炳烈;杰克·A·曼德尔曼;拉里·尼斯比特;卡尔·J·拉登斯 -专利权人：国际商业机器公司;西门子公司
申请日： 2000-03-16 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：至少一对深沟槽被安置在衬底中。颈圈衬在各个深沟槽的至少部分壁上。深沟槽填充物将各个深沟槽填充。掩埋条完全跨越各个深沟槽填充物和各个颈圈上的各个深沟槽延伸。隔离区被安置在各个深沟槽之间。介质区覆盖各个深沟槽中的各个掩埋条。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]超结结构的深沟槽填充方法-CN201110087244.4无效
发明人：陶有飞;钱慧 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种超结结构的深沟槽填充方法，包括步骤：A.提供待形成超结结构的深沟槽，深沟槽位于N型半导体衬底上的N型外延层中；B.在深沟槽中生长P型外延层，P型外延层中间留有一道缝隙；C.在P型外延层中间淀积氧化层，填充深沟槽；D.干法刻蚀深沟槽中的氧化层，使深沟槽的顶部敞开；E.继续在深沟槽中淀积氧化层，填充深沟槽。本发明通过在超结结构的深沟槽中交替淀积氧化层与刻蚀深沟槽顶部的氧化层使槽口充分敞开，逐渐实现完全无缝隙的深沟槽填充，消除沟槽内狭长的缝隙，避免了漏电现象，使功率MOS器件能够满足承受高压的电学要求和硅片研磨封装成薄片的机械要求
结构深沟填充方法

[发明专利]一种排水管线的深沟槽施工方法-CN202010792152.5在审
发明人：王志新;李彬;陆永达 -专利权人：上海静安市政工程有限公司
申请日： 2020-08-08 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： E03F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种排水管线的深沟槽施工方法，包括以下步骤：S1，根据排水管线走向进行测量放线，确定深沟槽的开挖位置，并确定开挖深度、开挖宽度，以及所述深沟槽开挖位置处地下原有管线的布置情况；S2，在深沟槽的开挖位置两侧设置钢板桩，以加固深沟槽附近的土体结构强度；S3，开挖土方以形成深沟槽；S4，对深沟槽的槽底下方的土体进行注浆加固。本申请的排水管线的深沟槽施工方法在施工时，通过在深沟槽的开挖位置两侧设置钢板桩，以及对深沟槽的槽底下方的土体进行注浆加固，增强了深沟槽附近的土体结构强度，提高了施工的安全性。
一种排水管线深沟施工方法

[发明专利]深沟槽隔离的制造方法-CN201810947318.9在审
发明人：李娜 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种深沟槽隔离的制造方法，包括步骤：步骤一、在硅衬底表面形成衬垫氧化层和第一氮化层；步骤二、进行浅沟槽的光刻并进行刻蚀形成浅沟槽；步骤三、形成第二氧化层组成硬质掩膜层并将浅沟槽完全填充；步骤四、进行深沟槽的光刻并进行刻蚀形成深沟槽，在横向上深沟槽位于浅沟槽内部，在纵向上深沟槽的深度大于浅沟槽的深度；步骤五、在深沟槽中填充隔离介质层；步骤六、对隔离介质层进行回刻，采用化学机械研磨工艺进行平坦化，去除第一氮化层和所述衬垫氧化层，由填充于深沟槽中的隔离介质层组成深沟槽隔离结构。本发明能形成质量良好的深沟槽隔离并得到较深的深沟槽隔离，有利于缩小器件的尺寸。
深沟槽浅沟槽深沟槽隔离隔离介质层填充衬垫氧化层氮化层光刻刻蚀化学机械研磨工艺深沟槽隔离结构硅衬底表面硬质掩膜层平坦化氧化层回刻去除制造

[发明专利]改善深沟槽隔离关键尺寸的方法-CN202210776948.0在审
发明人：赵春山;于惟玮;赵庆贺;张武志 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种改善深沟槽隔离关键尺寸的方法，所述方法包括：提供一掩蔽层版图，所述掩蔽层版图包括至少1个第一深沟槽及至少1个第二深沟槽，所述第一深沟槽沿第一方向延伸，所述第二深沟槽沿第二方向延伸，其中，所述第一深沟槽与所述第二深沟槽交叉设置以形成交叉区；于所述交叉区处形成空白区；利用所述掩蔽层版图对晶圆进行刻蚀以在所述晶圆内形成所述第一深沟槽及所述第二深沟槽。通过本发明改善形成栅网结构的深沟槽在交叉区处关键尺寸过大的问题。
改善深沟隔离关键尺寸方法

[发明专利]一种雪崩光敏器件及其制备方法-CN201710523020.0有效
发明人：康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供了一种雪崩光敏器件及其制备方法，该雪崩光敏器件包括：位于半导体衬底中的P型深沟槽和N型深沟槽；P型深沟槽侧壁和底部周围具有P型扩散过渡层；N型深沟槽侧壁和底部周围具有N型扩散过渡层，使P型深沟槽和N型深沟槽之间的以及P型深沟槽底部的、N型深沟槽底部的半导体衬底中形成过渡区，从而形成P‑I‑N结构，并且，还可以利用离子注入形成P型深沟槽和N型深沟槽。
一种雪崩光敏器件及其制备方法

[发明专利]超结结构的深沟槽填充方法-CN201110087241.0无效
发明人：陶有飞 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种超结结构的深沟槽填充方法，包括步骤：A.提供待形成超结结构的深沟槽，深沟槽位于N型半导体衬底上的N型外延层中；B.在深沟槽中生长P型外延层填充深沟槽，外延工艺的气体包括二氯基硅烷和大比例的氯化氢；C.以氯化氢为刻蚀气体，干法刻蚀深沟槽中的P型外延层，使深沟槽的顶部敞开；D.继续在深沟槽中生长P型外延层填充深沟槽，外延工艺的气体包括二氯基硅烷和大比例的氯化氢。本发明通过在超结结构的深沟槽中交替生长外延层与刻蚀深沟槽顶部的外延层使槽口充分敞开，逐渐实现完全无缝隙的深沟槽外延填充，消除沟槽内狭长的缝隙，避免了漏电现象，使功率MOS器件满足承受高压的电学要求和硅片研磨封装成薄片的机械要求
结构深沟填充方法

[发明专利]一种复杂环境下深沟槽支护逆作施工方法-CN202110606691.X在审
发明人：李建新;董党;马勇举;来延龙;冯学良;曹武志;刘蔚萌 -专利权人：中国水利水电第十一工程局有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： E02D17/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种复杂环境下深沟槽支护逆作施工方法，包括以下步骤：首先测量放线，确定管道轴线及结构边线；然后根据地质情况及工作条件，并在深沟槽周围布置高压旋喷桩；旋喷桩施工完成后在深沟槽开设截水沟，随后在沟槽四周设立防护栏杆；对深沟槽的上层土方进行开挖，并对开挖后的深沟槽上部施作混凝土支护结构；待上层混凝土支护结构施作完成并达到强度要求后，再对深沟槽的下层土方进行开挖和支护作业，重复上道工序直至施工到深沟槽底部；当施工到深沟槽底部后，对深沟槽的底部进行底板浇筑；底板浇筑完成后，进行管道安装，随后对深沟槽进行回填。该方法采用逆作法对深沟槽进行由上至下的分层支护，支护效果好。
一种复杂环境深沟支护施工方法

[发明专利]超级结的制造方法-CN202010253678.6在审
发明人：王晨;祝志敏;王飞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：该方法包括在衬底表面形成外延层；在外延层表面形成硬掩膜层；在外延层形成深沟槽；填充深沟槽，深沟槽的填充厚度大于深沟槽的深度，深沟槽的填充厚度与深沟槽的深度之差小于硬掩膜层的厚度；解决了目前深沟槽内部易产生缺陷的问题；达到了避免深沟槽内部缺陷，保证器件的源漏电流和击穿电压的效果。
超级制造方法

[发明专利]一种深沟槽氧化物刻蚀改进工艺-CN201110150719.X无效
发明人：张文广;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-06-07 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种深沟槽氧化物刻蚀改进工艺，其中，在晶圆上形成有分布在晶圆中心区域的多个深沟槽，以及分布于晶圆边缘区域的多个深沟槽，并且在中心区域的深沟槽、边缘区域的深沟槽内均沉积有氧化物，采用各向同性的干法刻蚀分别对中心区域的深沟槽和边缘区域的深沟槽内的氧化物进行刻蚀，以降低边缘区域的深沟槽的底部氧化层与中心区域的深沟槽的底部氧化层的厚度差。本发明的一种深沟槽氧化物刻蚀改进工艺，刻蚀后得到的中心区域的深沟槽中的残余底部氧化层与边缘区域的深沟槽中残余的底部氧化层的厚度差显著降低，底部氧化层的厚度均匀性良好，且刻蚀速率稳定，工艺精度容易控制，方便实用
一种深沟氧化物刻蚀改进工艺

[发明专利]一种IGBT深沟槽光刻工艺-CN201410848051.X在审
发明人：宋里千;黄建伟;罗海辉;陈辉 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种IGBT深沟槽光刻工艺，属于微电子领域。本发明为解决深沟槽底部图形刻蚀不充分等问题，提供一种IGBT深沟槽光刻工艺，依次包括以下步骤：(1)在衬底表面和深沟槽内涂上有机材料，有机材料不溶于显影液，且能被刻蚀；(2)除去衬底表面的有机材料，使剩余的有机材料填充在深沟槽内；(3)在衬底表面和有机材料表面涂上光刻胶；(4)使光刻胶曝光；(5)用显影液除去位于深沟槽上方的光刻胶；(6)对深沟槽内的有机材料及深沟槽底部的晶圆进行刻蚀；(7)除去衬底表面的光刻胶，完成IGBT深沟槽的光刻本发明的有益效果是，通过在IGBT深沟槽内预填充一种有机材料可以实现深沟槽底部充分、规则的刻蚀。
一种 igbt 深沟光刻工艺

[发明专利]提高深沟槽填充能力的方法-CN201810947062.1在审
发明人：姚亮;王飞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高深沟槽填充能力的方法，步骤1、在已经形成的深沟槽内进行填充；步骤2、当填充到所述深沟槽填充满所需时间的一半时，先停止填充；步骤3、在所述深沟槽表面进行垂直注入；步骤4、对注入过的填充物质表面进行刻蚀，增大所述深沟槽开口角度；步骤5、在经过重新加工的开口的所述深沟槽内继续填充工艺步骤，完成沟槽填充。本发明能够实现深沟槽填充的完整性。
深沟槽填充开口填充物质表面工艺步骤沟槽填充刻蚀垂直加工

[实用新型]一种碳化硅晶片加工用盘及单面研磨机-CN202020619385.0有效
发明人：张雨晨;杨占伟;张平;邹宇 -专利权人：江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种碳化硅晶片加工用盘及单面研磨机，碳化硅晶片加工用盘的盘面上开设有深沟槽和浅沟槽；深沟槽和浅沟槽间隔设置，且深沟槽的深度大于浅沟槽的深度，深沟槽至少一端延伸出碳化硅晶片加工用盘，浅沟槽用于容纳研磨液，深沟槽用于将研磨液及研磨下的碎屑排出碳化硅晶片加工用盘。使用时，将碳化硅晶片加工用盘安装在单面研磨机上对碳化硅晶片进行单面研磨，研磨液分别进入浅沟槽和深沟槽内，由于深沟槽和浅沟槽间隔设置，因此，进入浅沟槽内的碎屑能够随着研磨液流入深沟槽内，并随着深沟槽的出口将碎屑排出
一种碳化硅晶片工用单面研磨机

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